功率因数校正（PFC）
 功率因数校正（PFC）在环境和经济上的益处以及谐波电流降低，使大多数电源设计的标准要求（如EC1000-3-2 和 EN 61000-2-3）得以形成。
单循环控制
传统的PFC设计
在选择SMPSPFC中普遍应用的“Boost”拓朴的正确版本时，对于如功率密度、效能和系统成本之类的设计因素必须加以考虑。
传统上大多使用两种类型的控制－持续电流模式（CCM）或间断电流模式（DCM）－这两种模式一般被用于功率级的应用。
在DCM中，（70W至约200-250W）的PFCMOSFET仅在感应电流达到零时才打开。
在CCM（大于200W）中， MOSFET在感应电流仍然为零时开启，此时所有反向恢复能量都在MOSFET中消散。
部件选择
PFC MOSFET 运行于一种 “硬切换” 模式，因此IR开发了K-系列范围为500V和600V的HEXFET®功率MOSFET.
在CCM中，PFC二极管的速度必须极快（非常低的trr）新的“ETX”系列600V超快二极管，是为CCMPFC中的应用而专门开发的。这些部件是8ETX06和15ETX06，可以TO-220、 TO-220FP、 TO-262 和D2Pak中使用.
在DCM中，PFC二极管必须有较低的前向电压(VF)。新的“ETL”系列600V超快二极管，是为DCMPFC中的应用而专门开发的。这些部件是8ETX06和15ETX06，可以TO-220、 TO-220FP、 TO-262 和D2Pak中使用.
新型PFC拓朴: 单循环控制
CCM和DCM PFC电路都是一种功率密度、复杂性、系统成本和/或效能与长而精密的设计过程的折衷。有一种叫做“单循环控制”的新型拓朴提供了“无折衷”解决方案，它有着高性能、高功率密度、低组件数量和快而易用的设计程序。
|
