全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。

新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这个系列的卓越RDS (on) 额定值，可让设计人员避免使用大电流工业应用中，往往因散热需要的大而昂贵的ISOTOP或小型BLOC封装，使系统成本降低50%。”

全新N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压，也符合工业级及MSL1要求。新MOSFET均不含铅并符合电子产品有害物质限制 (RoHS) 指令。

产品基本规格如下：

元件编号	沟道型	Bvdss (V)	RDS(on) (mΩ)	Qg (nC)	25 C下的Id (A)	封装
IRFP4004PBF	N	40	1.7	220	195*	TO-247AC
IRFP4368PBF	N	75	1.85	380	195*	TO-247AC
IRFP4468PBF	N	100	2.6	360	195*	TO-247AC
IRFP4568PBF	N	150	5.9	151	171	TO-247AC
IRFP4668PBF	N	200	9.7	161	130	TO-247AC

* 封装限制

各款全新MOSFET 已经开始供货。产品详细资料可浏览IR 网址：www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，亚洲网站：www.irf-asia.com ，中国网站：www.irf.com.cn。

报界垂询：
黄慧敏 (IR) 电邮: wwong1@irf.com