全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点 (POL) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。

新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) ，以实现高效率和散热性能，并可实现每相超过25A的工作。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6710S2控制MOSFET具备极低的栅极电阻 (Rg) 及电荷，而且当与IRF6795M和IRF6797M这些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同设计时，能够实现高频、高效DC-DC转换器解决方案，在整个负载范围发挥卓越性能。”

IRF6710S拥有0.3Ω的极低栅极电阻和3.0 nC的超低米勒电荷 (Qgd) ，可以大幅减低开关损耗，使这些器件非常适合作为控制MOSFET使用。

IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，可以显著减少导通损耗，而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗，使这些新器件非常适合大电流同步MOSFET电路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积，能轻易由原有SyncFET器件转向使用新器件。

产品基本规格如下：

器件编号	BVDSS (V)	10V下 典型RDS(on) (mOhms)	4.5V下 典型RDS(on) (mOhms)	VGS (V)	典型QG (nC)	典型QGD (nC)	外形代码
IRF6710S2	25	4.5	9.0	+/-20	8.8	3.0	S1
IRF6795M	25	1.1	1.8	+/-20	45	15	MX
IRF6797M	25	1.4	2.4	+/-20	35	10	MX

详细信息可以登录IR 网站查询：http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。

新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。

IR简介

国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站：www.irf.com，亚洲网站：www.irf-asia.com ，中国网站：www.irf.com.cn。

报界垂询：
黄慧敏 (IR) 电邮: wwong1@irf.com