全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。

IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个MOSFET的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个DirectFET MOSFET可以替代两个或三个SO-8封装器件。”

该器件的典型10V RDS(on) 非常低，只有29mΩ。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET。IRF6643TRPbF采用中级尺寸 (MZ) DirectFET封装。有关新器件的详细数据，详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。

产品基本规格如下：

器件编号	封装	BVDSS(V)	10V下最大RDS(on) (mOhm)	10V下典型RDS(on) (mOhm)	VGS (V)	25oC下的 ID (A)	典型QG (nC)	典型QGD (nC)
IRF6643TRPbF	DirectFET中罐	150	34.5	29	20	35	39	11

IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。有关DirectFET MOSFET封装技术的详情，可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。

IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET现已开始供货。

IR简介

国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机乃全球最大之耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的电源管理基准。

IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站www.irf.com，中国网站www.irf.com.cn。