全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）今天推出IRAUDAMP3 D类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET ®功率MOSFET，可实现无散热器的120W 六通道半桥D类音频功率放大器。

IR公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出：“通过采用业界领先的功率MOSFETS对我们的D类音频高压集成电路进行优化，IRAUDAMP3能够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。”

集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路，可以防止噪声和电源电压波动，有助于在60W、4Ω的情况下实现0.01%的总谐波失真（THD），而在120W、4Ω单通道可实现94%的效率。此外，该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。

IRAUDAMP3的占板面积为4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。创新的DirectFET封装技术通过降低引线电感提高了开关性能，并降低了EMI噪声，从而提高了D类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4Ω阻抗下的120W运行，而无需使用散热器，这样不仅缩小了电路尺寸，还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性，降低了放大器系统的总体成本。

有关的资料数据可查询IR网站：http://www.irf.com。

获得专利的DirectFET 封装技术

IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往的标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使为先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。此外，DirectFET封装的器件均符合RoHS有害物质管理规定。

IRAUDAMP3参考设计现已供货，每套995美元，价格会有所变动。

IR简介

国际整流器公司（简称IR，纽约证交所代号IRF）是全球电源管理技术领袖。IR的数字、模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备、降低电机的能耗（全球最大一类耗能设备），是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR全球网站www.irf.com，中国网站www.irf.com.cn。