世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。
单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。
如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。这完全归功于IR DirectFETMOSFET 封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“我们扩展了中压DirectFET MOSFET产品系列，这使得电源设计人员可以有更多的器件选择去改善隔离式DC-DC转换器的初级和次级插槽的性能。”
“IRF6648是一种多功能器件，可用于36V到75V输入的隔离式DC-DC转换器的次级同步整流插槽、初级半桥及全桥隔离式DC-DC总线转换器、24V输入初级正向有源箝位电路和48V输出AC-DC有源ORing系统。”
IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它集中了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。其中的金属罐构造能发挥双面冷却功能，使用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。另外，DirectFET封装的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”（RoHS）的要求。
IRF6648 DirectFET MOSFET现已供货。以1万件订货量计算，单价为1.29美元，价格可能会有变动。产品基本规格如下：
产品编号 |
封装 |
VDSS (V) |
VGS＝10V下的
最大RDS（on） |
典型Qg
(nC) |
典型Qgd (nC) |
IRF6648 |
DirectFET MN |
60 |
7mΩ |
36 |
14 |
IR还提供以下设计工具和应用指南：
此外设计人员还可以访问IR的DirectFET网上搜索中心，进一步了解如何利用DirectFET器件的独特优点及其如何增强电气和热性能的信息。
IR简介
国际整流器公司（简称IR，纽约证交所代号IRF）是全球电源管理技术领袖。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备、降低电机的能耗（全球最大一类耗能设备），是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，已经在亚洲近二十个国家设有办事处。 IR全球网站www.irf.com，中国网站www.irf.com.cn。
