世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International
Rectifier，简称IR）近日推出新型的DirectFET
MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。
例如，电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619
和IRF6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“IRF6619
和IRF6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的D-Pak
MOSFET，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。”
IRF6619是理想的同步MOSFET，器件的典型导通电阻极低，在10VGS下为1.65mΩ，在4.5VGS下则为
2.2mΩ，而逆向恢复电荷可以低至22nC。该器件采用MX中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度只有0.7mm。
IRF6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nC，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20VN器件相比，其导通电阻和栅电荷减少了43%以上。该器件的混合导通电阻与栅电荷性能效益指数为38
mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封装，占板面积与SO-8封装相同，高度同样只有0.7mm。
IR的DirectFET MOSFET封装已获得专利，它汇集了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造能发挥双面冷却功能，使得用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加一倍。
该芯片组的基本规格如下：
| 产品编号 |
封装 |
功能 |
BVDSS
(V) |
10V下
最大
RDS(on) (mOhm) |
4.5V下
最大
RDS(on) (mOhm) |
VGS(V) |
Tc=25°C下
的ID(A) |
典型QG
(nC) |
典型QGD
(nC) |
| IRF6619
|
DirectFET
MX |
同步场效应管 |
20 |
1.65 |
2.2 |
20 |
150 |
38 |
13.2 |
| IRF6633
|
DirectFET
MP |
控制场效应管 |
20 |
5.6 |
9.4 |
20 |
59 |
11 |
4 |
新的IRF6619和IRF6633
DirectFET MOSFET同步降压芯片组现已供货。以1万片订货量计算，IRF6619和IRF6633的单价分别为1.05
美元和0.82美元，价格或有变动。
IR简介
国际整流器公司（简称IR，纽约证交所代号IRF）是全球电源管理技术领袖。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备、降低电机的能耗（全球最大一类耗能设备），是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR成立于1947年，总部设在美国洛杉矶，已经在亚洲近二十个国家设有办事处。
IR全球网站www.irf.com
，中国网站www.irf.com.cn
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