功率半导体领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新款控制及同步开关芯片组，用于驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器，适用于高端先进服务器和台式计算机。该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。

这款二合一芯片组若用于开关频率为每相750kHz的四相1 U (1.75英吋高) VRM系统，可在90A下达到84.5% 的效率；若用于开关频率为每相400kHz的八相内嵌式VRD10.2设计，则可在150A下达到87% 的效率。

第一款器件是单片式IRF6691 DirectFETKY，它把一个肖特基二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。若采用相同的控制场效应管，该器件在全负载状态及每相1MHz频率下，效率比市场上其他性能最佳的20V同步场效应管改善达1.1%。

IRF6691在10VGS下的典型导通电阻 (RDS(on)) 为1.2 mOhm (在4.5VGS下为1.8 mOhm)，典型Qrr为26nC。它不仅提供最佳热性能，而且反向恢复损耗更低，也可减少整体元件数目。

第二款器件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET。它是特别为控制场效应管开关度身订制，整体栅电荷 (Qg为11nC) 极低。与旧款30V器件相比，它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积降低33%至87mOhm-nC。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“我们不断在器件导通电阻与开关损耗范围以外，改善影响功率MOSFET性能的关键参数。IR业界领先的DirectFET封装技术与最新单芯片技术，为现今最先进的信息科技应用奠定了直流-直流转换效率标准。”

两款器件皆采用IR已获专利的DirectFET封装技术，兼具一系列前所未有的标准塑料离散式封装设计优点。DirectFET功率MOSFET系列凭借创新的双面冷却设计，有效地把驱动先进处理器的高频直流-直流降压转换器的电流处理效能提高了一倍。

两款器件现已供货，基本规格如下：

产品型号	封装	BVDSS (V)	10V下 最大 RDS(on) (mOhm)	4.5V下 最大 RDS(on) (mOhm)	VGS (V)	Tc=25°C 下之ID (A)	典型QG (nC)	典型Qrr (nC)
IRF6617 DirectFET MOSFET	DirectFET	30	8.1	10.3	20	55	11	7.2
IRF6691 DirectFETKY MOSFET及 肖特基二极管	DirectFET	20	1.8	2.5	12	180	47	26

新器件的数据表可在IR 网站上获得，详见以下网址：www.irf.com。工程人员可在IR的myPOWER网上设计中心内，针对本身的同步降压直流-直流转换器评选最合适器件。用户可于http://mypower.irf.com上免费登记使用该设计中心，简便快捷。

IR简介

国际整流器公司 (IR) (纽约证券交易所上市代号：IRF) 是全球电源管理技术领袖。IR的模拟和混合讯号集成电路、先进电路器件、集成功率系统及组件，有助驱动高性能运算、减省马达 - 全球最大电力消耗者 - 的能源损耗。世界上有不少知名的计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统制造商，皆倚靠IR的电源管理基准驱动其下一代产品。IR在一九四七年成立，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳洲及菲律宾。IR在全球共有五千五百名员工，在英国、美国、墨西哥和意大利均设有制造厂。企业网站为www.irf.com，中国网站为www.irf.com.cn。