功率半导体领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET，新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装 。IRF6612兼具低导通电阻 (4.4mOhms@VGS = 4.5V) 和低封装电感，体现最佳性能组合，可用作非隔离直流直流转换器中的同步整流器，大幅提升笔记本电脑和服务器的效率。IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流，适用于网络及通信领域。

目前，采用英特尔迅驰(Centrino) 移动技术的笔记本电脑都配备为处理器而设的电源解决方案；该方案采用两相设计，每相分别备有一个控制和两个同步SO-8封装MOSFET。这三个SO-8器件可利用一对DirectFET器件取代 - IRF6612作为同步MOSFET，IRF6608作为控制MOSFET。相比现在采用标准分立器件的电路设计，DirectFET解决方案既能减少器件数量，也可将MOSFET所占印刷电路板面积缩小33%。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“IRF6612把IR最新、最先进的沟槽MOSFET技术和DirectFET封装技术结合，为空间有限的笔记本电脑大幅提升功率密度。这对于发展迅速的轻巧纤薄型笔记本电脑尤为重要。在可利用气流的高档台式机和服务器设计中，IRF6612只需一个低端电脑器件便可将电流承载能力扩展至每相30A。”

IR的DirectFET MOSFET封装具备一系列在标准分立塑封内前所未见的崭新设计优点。其“金属帽”结构可散去主机板的热量，消除热量对高级微处理器性能的严重威胁。

此外，DirectFET功率MOSFET藉采用崭新双面冷却设计，为驱动这些处理器的高频直流-直流降压转换器带来双倍电流处理能力，延展它们在高档台式计算机、膝上型计算机、路由器及服务器中的先进效能。

客户可利用myPOWER网上设计中心内的MOSFET选择器工具，在同步降压电路上分析和比较IRF6612及其他低电压MOSFET。该工具能在以下网址免费下载：http://mypower.irf.com。

IRF6612即日起投入供应。数据表及应用手册详载于IR网页 www.irf.com，基本规格如下：

产品型号	封装	BVDSS	10V下 之最大RDS(on)	4.5V下 之RDS(on)	VGS	TCASE25°C 下 之ID	典型QG	典型QGD
IRF6612	DirectFET	30V	3.3mOhm	4.4mOhm	20V	136A	30nC	10nC

 

IR简介

国际整流器公司 (IR) (纽约证券交易所上市代号：IRF) 是全球功率管理技术领袖。IR的仿真和混合讯号集成电路、先进电路器件、集成功率系统及组件，有助驱动高性能运算、减省马达 - 全球最大电力消耗者 - 的能源损耗。世界上有不少知名的计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统制造商，皆倚靠IR的功率管理基准驱动其下一代产品。IR在一九四七年成立，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳洲及菲律宾。IR在全球共有五千五百名员工，在英国、美国、墨西哥和意大利均设有制造厂。企业网站为 www.irf.com，中国网站为 www.irf.com.cn。