功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件。该器件经过全面优化，适用于VRM 10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器，应用范围包括高端台式计算机和服务器，及先进的电信和数据系统。

IRF6623具备增强的控制MOSFET性能，器件导通电阻 (RDS(on)) 及栅电荷 (Qg) 的乘积減少30%。体积仅为市场上同类高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS(on) 和Qg的乘积仅为48.4mOhm-nC，米勒电荷 (Qgd) 为4.0nC，有助减低开关损耗。

IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg, Qgd 和反向恢复电荷 (QRR) 值极低，RDS(on) 更比市场上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS(on) 为2.1mOhm (最大为2.7mOhm)。

IRF6609专为大电流 (33A或以上) 的同步MOSFET应用而设计，能缔造最佳性能。器件的Qg和Qgd非常低，并具备超低QRR，在10V下的典型RDS(on)为1.6mOhm (最大为2.0mOhm)。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“DirectFET MOSFET系列现包括20V和30V产品，晶片尺寸范围更广，从而为设计人员提供了更多元化的选择及电路优化。DirectFET封装的‘金属帽’结构是性能提高的关键。它能减低无晶片式封装的电阻，实现双面冷却。与标准的离散塑料封装相比，新封装有很多以前不具备的优点。”

全新DirectFET MOSFETF已开始供应。可从IR网站www.irf.com的相关产品介绍中了解更多资料，基本规格如下：

产品型号	封装	BVDSS (V)	10V下 典型RDS(on) (m)	10V下 最大RDS(on) (m)	4.5V下 典型RDS(on) (m)	4.5V下 最大RDS(on) (m)	VGS (V)	ID @ Tc=25?C (A)	典型QG (nC)	典型QGD (nC)
IRF6623	DirectFET	20	4.4	5.7	7.5	9.7	20	55	11.0	4.0
IRF6620	DirectFET	20	2.1	2.7	2.8	3.6	20	150	28.0	8.8
IRF6609	DirectFET	20	1.6	2.0	2.0	2.6	20	150	46	15

IR简介

国际整流器公司（IR）（纽约证交所：IRF）是全球领先的功率管理技术领导企业。IR 的模拟和混合信号集成电路、先进的电路设备、集成功率系统和元器件，都有助于驱动高性能运算、减少世界上最大的电力损耗者 - 电机的能源损耗。全球领先的电脑、节能电器、照明、汽车、卫星和宇航系统制造商都依赖IR 的功率管理标准驱动其新一代产品。IR成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5500人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步资料，请浏览该公司中文网页 www.irf.com.cn 。