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IR推出坚固可靠的功率IGBT提高家电及工业电机驱动器性能


新器件支持真空系统、开关磁阻驱动器及不间断电源系统等多元化应用


新闻稿2003年12月10日


功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一对600V 、50A非穿通 (NPT) 分立式IGBT,适合采用DPak 及 TO-220封装的电机驱动应用。新器件设有"方形" 反向偏压安全操作区 (RBSOA) 及十微秒短路能力,有助改善电机驱动器的耐用性及可靠性。方形RBSOA可确保额定电流在更高电压下也不会降低。

全新IGBT最适合硬启动、浪涌电流高至6kW的电机驱动器应用,典型应用范围包括真空系统以至开关磁阻驱动器和不间断电源。

IR的薄型硅NPT技术能有效降低关断能耗,支持更高频率运行而不会增加传导损耗,同时有助减低热阻。新器件可在175°C 以下结温运行,额定电流最大可达50A。

IR中国及香港销售总监严国富表示:"更高频率运行有助扩展电机的速度范围,也可在更低速度下改善转矩控制,同时减低可闻噪音。IR这些具有更大额定电流的IGBT采用更小巧的封装,有效改善高性能电机驱动器的印板设计,减低系统成本。"

全新600V NPT IGBT现已投入供应。有关芯片产品的供应详情,可浏览 http://die.irf.com。数据表详载于 www.irf.com。基本规格如下:


IR全新50A、600V 电器及工业用NPT IGBT
产品型号
封装
(两款皆采用
与续流二极管
组合封装)
VCES
TC
100°C 下最大
IC
TJ 25°C、
Ic=30A 下典型
VCE(ON)
TJ 150°C 下Eswitch 最大功率水平
IRGS30B60K
DPak
600V
50A 1.95V 1.785mJ 高达 6kW
IRGB30B60K TO-220 600V 50A 1.95V 1.785mJ 高达 6kW


IR简介

国际整流器公司(IR) (纽约证券交易所上市代号:IRF) 是领导业界功率半导体及功率管理方案的供应商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高压集成电路均已获得专利,有助改善电子及电器设备的性能及电源效率,应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、电脑及外围设备、电信、照明及卫星/发射运载系统。IR成立于1947年,总部位于美国洛杉矶,在亚洲多个地区均设有办事处,包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5500人,在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步资料,请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn



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