功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)，推出IRF6156型20V双重两向HEXFET功率MOSFET。该器件采用共漏极结构，体积比采用TSSOP-8封装的器件小80%，厚度低于0.8毫米。

　　IRF6156采用IR的专利FlipFET封装，由于体积小巧，特别适用于锂离子电池内的安全及保护电路，应用范围包括蜂窝电话、笔记本电脑、PDA及数码相机。

　　锂离子电池属易燃品，需利用保护电路避免因过度充电而造成损害。保护电路还用于探测短路情况，同时将电池与负载断开。

　　IR的专利FlipFET封装不含引线框或管帽，实际上晶片本身就是封装。这种设计将结至印刷电路板的热阻减低至35°C/W，而SO-8封装器件的热阻却高于60°C/W。此外，新设计的结至环境最大热阻为50°C/W。IRF6156各个接线端均设在晶片同一侧，能将杂散电感及其它器件封装损耗减至最低，甚至完全消除。

　　IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“IR的FlipFET MOSFET能适应体积日益小巧的手提式应用设备，而无损载电能力。制造商还可利用标准表面贴装设备和技术把新器件装在印刷电路板上，使用更加方便。”

　　全新FlipFET封装IRF6156 MOSFET现已投入供应，其基本规格如下：

IR简介

国际整流器公司(IR)(纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供货商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权，有助改善电子及电器设备的性能及电源效率，应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、计算机及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5800人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步数据，请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn。