功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRLR7833及IRLR7821两款HEXFET功率MOSFET，它们以最新的条形沟槽 (Stripe-trench) 技术设计，成为当今D-Pak封装市场上通态电阻 (RDS(on)) 最低的30V MOSFET。

　　与同类直流-直流变换器MOSFET相比，这两款以全新技术制成的MOSFET，依实际应用需要，能将效率提升高达2.5% 或节省多达25% 的元件数目。

　　两款新器件专为同步降压变换电路而设计，适用于服务器、台式和笔记本电脑，以及网络和通信设备中的负载点 (Point-of-load) 变换器。IRLR7833还可用于隔离式变换器的副边同步整流。

　　与上一代器件相比，IRLR7833的通态电阻降低了50%，IRLR7821的栅电荷则降低了30%多。由于IRLR7833的通态电阻极低，故特别适用于同步MOSFET应用；而IRLR7821极低的栅电荷则使其成为理想的控制MOSFET。两款新器件的额定栅电压均达到20V，因此更加坚固耐用。

　　D-Pak封装正被广泛应用于同步场效应管 (FET) 范围，应用领域包括台式电脑和多电源电压调节组件 (VRM) 设计，以至每相电流高达20A的笔记本电脑应用。

　　IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“全新芯片组采用了IR崭新的硅技术，有助提高效率或减少元件数目。在一项VRM设计中，设计员可利用3个IRLR7833 MOSFET取代4个低侧MOSFET，提供更高性能和效益。”

　　IRLR7821和IRLR7833 HEXFET MOSFET现已投入供应，数据表详载于IR网页www.irf.com，基本规格如下：

IR简介

国际整流器公司(IR)(纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供货商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权，有助改善电子及电器设备的性能及电源效率，应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、计算机及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5800人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步数据，请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn。