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IR为无感应器电机控制推出全新集成设计平台
(2003年6月19日)


IR全新PlugNDrive集成功率模块为家电简化电机驱动器设计
(2003年6月11日)


IR推出具备有源升压功率因数校正方法的单片荧光灯镇流控制器
(2003年6月6日)


IR推出全新直流总线转换器芯片组
重新定义网络及通信系统的分布式电源架构

(2003年5月22日)


IR推出全新肖特基二极管 实现最大效率和降低损耗
最适用于服务器和电信功率系统

(2003年5月15日)


IR崭新集成功率模块
为大电流运算及电信系统降低20%功率损耗

(2003年5月7日)


IR公布二零零三财年第三季度业绩
年度订单增长达28%,季度长幅为9%
(2003年4月30日)


IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性
有效增强零电压开关操作
(2003年4月9日)


IR推出性能经改良的电子继电器
适用於电信、电子仪器及工业控制应用
(2003年4月2日)


IR新型12V N沟道MOSFET
为3.3V及5V输入降压转换器提供高出15%的电流性能
(2003年3月19日)


IR推出专攻高频开关电源应用的经济型大功率150kHz IGBT
全面提高电信及服务器系统电路的操作效率
(2003年3月11日)


IR为交错降压直流-直流转换器推出XPhase可扩展性多相架构
符合先进CPU日新月异、变化莫测的功率要求
(2003年2月25日)


IR 推出FlipFET封装两向双MOSFET
体积比TSSOP-8封装小80%
(2003年2月12日)


IR 推出运行于更低温度的高速隔离式整流器IGBT模块
适用于高频弧焊机和不间断电源等小巧的大电流应用
(2003年1月20日)


IR 推出全新30V功率MOSFET
在标准D-Pak封装内创业界最低通态电阻
(2003年1月13日)


IR 推出可替代机电式继电器的300V MOSFET功率器件
提高网络和电信应用的可靠性、节省空间并降低成本
(2003年1月8日)

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