IR为无感应器电机控制推出全新集成设计平台 (2003年6月19日)

IR全新PlugNDrive集成功率模块为家电简化电机驱动器设计 (2003年6月11日)

IR推出具备有源升压功率因数校正方法的单片荧光灯镇流控制器 (2003年6月6日)

IR推出全新直流总线转换器芯片组 重新定义网络及通信系统的分布式电源架构 (2003年5月22日)

IR推出全新肖特基二极管 实现最大效率和降低损耗 最适用于服务器和电信功率系统 (2003年5月15日)

IR崭新集成功率模块 为大电流运算及电信系统降低20%功率损耗 (2003年5月7日)

IR公布二零零三财年第三季度业绩 年度订单增长达28%，季度长幅为9% (2003年4月30日)

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性 有效增强零电压开关操作 (2003年4月9日)

IR推出性能经改良的电子继电器 适用於电信、电子仪器及工业控制应用 (2003年4月2日)

IR新型12V N沟道MOSFET 为3.3V及5V输入降压转换器提供高出15％的电流性能 (2003年3月19日)

IR推出专攻高频开关电源应用的经济型大功率150kHz IGBT 全面提高电信及服务器系统电路的操作效率 (2003年3月11日)

IR为交错降压直流-直流转换器推出XPhase可扩展性多相架构 符合先进CPU日新月异、变化莫测的功率要求 (2003年2月25日)

IR 推出FlipFET封装两向双MOSFET 体积比TSSOP-8封装小80% (2003年2月12日)

IR 推出运行于更低温度的高速隔离式整流器IGBT模块 适用于高频弧焊机和不间断电源等小巧的大电流应用 (2003年1月20日)

IR 推出全新30V功率MOSFET 在标准D-Pak封装内创业界最低通态电阻 (2003年1月13日)

IR 推出可替代机电式继电器的300V MOSFET功率器件 提高网络和电信应用的可靠性、节省空间并降低成本 (2003年1月8日)

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