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IR 推出首个驱动英特尔及AMD
最新微处理器的完整功率管理芯片组工具

新闻稿2002年11月13日
 

  功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 开创业界先河,推出首个符合英特尔 VRM 9.0设计规范,并可简化低电压、大电流多相同步直流-直流转换器设计的完整功率管理芯片,同时降低制造方面的物流成本。

  全新IRUK3055CQ01芯片组配有一个高度集成的IRU3055CQ 五比特可编程三相PWM控制器集成电路及板上驱动器,3个IRF3704S控制HEXFET功率MOSFET,以及3个IRF3711S同步HEXFET MOSFET。

  这些器件经过个别优化,能在完整的三相直流-直流同步降压转换器方案中共同发挥出最高系统效率,提供高达60A的电流,以驱动Intel Pentium 4及AMD K7等先进的微处理器。

  IR中国及香港销售总监严国富先生表示:“在当今的高产量生产环境中,物料清单上每加入一个新项目都会大大加重物流运作的成本和负担。IRUK3055CQ01芯片组不仅通过优化元件简化了设计流程,还降低了采购及库存管理的相关成本。”

  IRU3055CQ PWM控制器集成电路提供1.075V至1.85V级差为25mV的可编程输出电压,在整个操作温度范围内实现达1% 的输出电压精确度。该控制器集成电路还提供多种保护和监察功能,如欠压锁定 (Under-voltage Lockout)、电压超标保护和外部可编程软启动,以及拥有“正常电源” (Power Good) 功能,以检测超过设置电压值±10%的输出电压。

  与30V MOSFET相比,IR的20V HEXFET功率MOSFET能将传导、开关、驱动器和输出损耗降至最低,又可在12V输入同步降压转换器中提供足够的安全限。20V IRF3711 MOSFET经特别设计,能发挥最完善的同步MOSFET性能,而20V IRF3704 MOSFET则能发挥最佳的控制MOSFET性能。

  IR并提供采用IRUK3055CQ01芯片组的IRDC3055参考设计工具,能从12V输入总线提供60A和1.5V输出电压。

  IRDC3055参考设计工具可从IR网站www.irf.com购买。

  IRUK3055CQ01芯片组的数据册已详载于IR网站。产品样品已有供应,本月将全面投产。

IR简介

国际整流器公司(IR)(纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供货商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权,有助改善电子及电器设备的性能及电源效率,应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、计算机及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR成立于1947年,总部位于美国洛杉矶,在亚洲多个地区均设有办事处,包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5800人,在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步数据,请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn

 


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