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功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)
推出全新600V K系列HEXFET功率MOSFET，导通电阻比上一代器件低45%，可在TO-247封装内处理多75%的电流。
全新MOSFET器件专为电信及数据通信系统设计，适用于额定功率达300W或更高的脱机开关电源
(SMPS) 所采用的硬开关电路拓扑。此外，IR还针对相同应用领域扩充了其500V K系列MOSFET器件。 设计人员可从这两个电压范围及更多不同电流和导通电阻标准中选择所需器件，满足其对大部分电子设计成本及性能的要求。600V额定器件能为特定设计提供更完善的安全效益，而500V器件则以更低成本提供更高效率。 与上一代产品相比，全新K系列器件可提高效率、输出功率及功率密度，有效减少器件数量和缩小散热器体积。效率的提高有助于降低操作温度，并增强系统可靠性。这在电信及数据通信系统领域至关重要。 全新K系列MOSFET的dV/dt耐量比上一代器件高出4倍，而且更坚固耐用。这些器件的栅电荷极低，十分容易驱动。 IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“随着电信领域开关电源的功率密度不断增加，设计人员必须引进全新技术，才可满足有关应用对效率及耐用性的要求。我们的新器件可同时满足两方面的需要。” IR全新的硬开关MOSFET现已有售。数据表详载于www.irf.com网页。产品的基本规格如下：
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全新
600V
K-MOSFET
|
电压
(V) |
最大
RDS(ON)
(Ohm) |
ID
@ 25°C
(A) |
ID
@ 150°C
(A) |
Qg
(nC) |
二极管
最大dV/dt
(V/ns) |
Rth
j-c(°C/W) |
封装 |
|
IRFPS40N60K |
600 |
0.13 |
40 |
24 |
330 |
5.5 |
0.22 |
Super-247 |
|
IRFPS30N60K |
600 |
0.190 |
30 |
19 |
220 |
10 |
0.28 |
Super-247 |
|
IRFP27N60K |
600 |
0.220 |
27 |
18 |
180 |
13 |
0.29 |
TO-247 |
|
IRFP22N60K |
600 |
0.280 |
22 |
14 |
150 |
15 |
0.34 |
TO-247 |
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全新
500V
K-MOSFET |
电压
(V) |
最大
RDS(ON)
(Ohm) |
ID
@ 25°C
(A) |
ID
@ 150°C
(A) |
Qg
(nC) |
二极管
最大dV/dt
(V/ns) |
Rth
j-c (°C/W) |
封装 |
|
IRFP32N50K |
500 |
0.16 |
32 |
20 |
190 |
13 |
0.26 |
TO-247 |
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IRFB20N50K |
500 |
0.21 |
20 |
12 |
110 |
6.9 |
0.45 |
TO-220 |
|
IRFB18N50K |
500 |
0.29 |
17 |
11 |
120 |
11 |
0.56 |
TO-220 |
IR简介 国际整流器公司(IR)(纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供货商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权，有助改善电子及电器设备的性能及电源效率，应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、计算机及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5800人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步数据，请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn。 | 
