功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)
推出全新IRF7338器件，把一对互补的12V N沟道及P沟道HEXFET功率MOSFET纳入单SO-8封装内。 与其它解决方案相比，IRF7338是一款极具成本效益的器件，适用于USB端口、双倍数据率
(DDR) 动态随机存取存储器 (DRAM) 应用等装置中的瞬时供电电路，以及其它要求单刀双掷
(SPDT) 器件在备用电压和核心电压干线间进行转换的电路。SPDT开关采用单输入信号控制输出，视输入控制电压的高低而切换不同的线路。 IRF7338器件以简单的运算放大器驱动，能在DDR存储器应用中为终端电压
(VTT) 提供拉灌电流通路。在USB应用中，这款采用联合封装的新MOSFET能在5V待机电源和5V主电源之间对USB端口进行快速切换。在PCI应用中，该器件可在3.3V待机电源和3.3V主电源之间进行切换。 IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“IRF7338经优化，提供从待机到全功率状态之间的快速切换，反之亦然；在计算机应用中支持先进组态与电源管理界面，即ACPI。ACPI接口一般用于笔记本电脑、台式电脑及服务器的电源管理系统，有助于降低功耗，最大限度的延长电池使用时间。” IRF7338的P沟道部分可切换高达3A的电流，N沟道部分则可切换高达6.3A的电流。两组器件的栅电荷极低，有助简化栅驱动电路设计。 新器件现已有供货。数据手册详见www.irf.com，基本规格如下：
产品编号 | 封装 | VDS
(Max.)
(V) | RDS(on)@
VGS=4.5V
mOhm | ID
Max. @25oC
(A) | QG
(nC) | N-Ch | P-Ch | N-Ch | P-Ch | N-Ch | P-Ch | N-Ch | P-Ch |
IRF7338 | SO-8 | 12V
| -12V | 34mOhm | 150mOhm | 6.3A | -3.0A | 8.6nC | 6.6nC |
IR简介 国际整流器公司(IR)(纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供货商。其HEXFET功率MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权,有助改善电子及电器设备的性能及电源效率，应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、计算机及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR成立于1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR全球雇员5100人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步数据，请浏览该公司中文网页www.irf.com.cn。 | 
