产 品 系 列     销 售 支 持     技 术 资 料    设 计 支 持     技 术 支 持 中 心   新闻发布 IR 为高达2MHz的直流-直流转换器推出DirectFET MOSFET 推动新一代英特尔及AMD微处理器实现更大功率效益 (2002年12月13日) IR 为零电压开关电源推出业内最佳500V MOSFET (2002年12月5日) IR推出三相逆变器驱动器集成电路 简化电机驱动器设计 (2002年11月20日) IR推出首个驱动英特尔及AMD 最新微处理器的完整功率管理芯片组工具 (2002年11月13日) IR全新双FETKY组合封装器件 为11A同步降压转换器节省60%空间 市场上载流性能最高的双MOSFET-肖特基器件 (2002年11月5日) IR公布2003财政年度首季业绩 (2002年10月24日) IR推出myPOWER在线设计中心 先进功率系统设计时间缩短数月 (2002年10月17日) IR推出全新500V和600V功率MOSFET 提高电信及数据通信功率系统效率 (2002年10月11日) IR推出业界最高集成度智能功率模块 iNTERO智能功率模块有助缩短电机驱动器设计开发时间并降低风险 (2002年9月19日) IR推出崭新集成开关 为30W开架式电源提高功率管理效益 新器件集经济实惠、坚固耐用优点于一身 (2002年9月4日) IRDirectFET MOSFET器件为 英特尔Itanium 2处理器设立业界功率标准 (2002年8月16日) IR推出150V及200V MOSFET器件 全面提高隔离式直流直流转换器效率 (2002年8月9日) IR公布第四季业绩 营业收益比上季提高13% (2002年8月2日) IR推出更加坚固和价值更高的600V IGBT Co-Packs器件 有助提高洗衣机、空调及其它马达驱动系统的效率 (2002年7月25日) IR推出12V双N沟道及P沟道MOSFET 适用于DDR存储器及瞬时供电电路 (2002年7月16日) IR全新肖特基二极管比同类器件电流密度高出一倍 80CPQ150及60CTQ150 (PP) 器件为新设计节省一半主板空间 (2002年7月2日) 档案 | 2006 1-6月 | 2005 7-12月 | 2005 1-6月 | 2004 7-12月 | 2004 1-6月 | 2003 7-12月 | | 2003 1-6月 | 2002 1-6月 | 产品型号搜索 产品应用 交流 -- 直流 桌上电脑/服务器 家用电器 宇航 音响 照明 汽车 电机驱动 芯片产品 网络通信 直流 -- 直流 便携产品 公司资料 新闻发布 IR 动态 展览会 杂志广告 人才招聘 与我们联络 / 反馈单 客户关系管理系统   产品系列 产品目录 参数搜索 HEXFET 功率 MOSFETs 集成电路 栅驱动器IC G5 HVICs IGBTs 芯片产品 宇航产品 销售支持 如何购买 搜索替代产品 产品变更通知 制造厂 联系 IR 中国 IR 中国代理商 目录元件经销商 技术资料 应用笔记 技术文章 Fact Sheets 设计支持 设计中心 myPower 参考设计 模型 设计指南 封装信息 无铅产品 质量与可靠性报告 技术支持中心 技术支持 搜寻FAQ 在线提问 国际网站 : | 英文 | 韩文 | 日文 | 关于 IR 国际 | 与我们联络 | 私隐条款 京ICP备05048912号 © 1995-2008 International Rectifier