功率半导体专家国际整流器公司(International Rectifier，简称 IR) 推出全新 30V IRL3713 系列 HEXFET 功率 MOSFET，可采用 D²Pak、TO-262 及 TO-220 等封装。采用 D²Pak 封装的 IRL3713S 器件最大 R_DS(on) 值为 3mOhm，此导通电阻是占位相同的上一代器件的一半，却能在隔离式直流-直流变换器中提供高出 1.5% 的效率。

　　IRL3713系列器件经优化，适用于 48V 输入隔离式直流-直流变换器的副边同步整流。这些器件还改善了 12V 输出直流-直流变换器中的有源冗余 (OR'ing) 电路性能，并可在同步降压变换器中用作同步场效应晶体管(FET)。典型应用包括向网络和通信设备、台式电脑及服务器中的特定用途集成电路 (ASIC) 和微处理器提供动力。

　　IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“新一代 NPU、CPU 及 ASIC 均需要极大的电流等级。IRL3713 系列器件扩充了 IR 功率半导体系列，能满足电信及网络领域的高功率密度要求。”

　　新器件的 R_DS(on) 值很低，以降低传导损耗，同时较低的栅电荷将开关损耗减至最低，还简化了驱动电路。由于相同占位内的硅性能得到改善，变换器的功率密度也能相应提高。

　　对 200kHz 操作频率、48V 输入及 3.3V 输出隔离式直流-直流变换器的副边测试中，IRL3713 比 60A 全负载的上一代 IR 器件效率提高 1.5%。

　　在电源有源冗余电路中，MOSFET 取代肖特基二极管，实现更高效率。IRL3713系列器件的低 R_DS(on) 值，确保通态下最低的正向电压降，发挥最高效率，故特别适用于有源 OR'ing 应用。

　　采用肖特基二极管的 OR'ing 电路，典型的 40A 器件在100^oC下的正向电压降大约是 0.4V 至 0.5V，而IRL3713在100^oC 及 40A 下的正向电压降为 0.18V，比前者低出 50% 多，效率因而大大提高。

　　新器件的样品已面世，批量生产也已进行。数据册详载于 IR 网站 www.irf.com。产品规格如下：

　　*封装部分的电流性能为75A。

IR简介

　　国际整流器公司 (IR) (纽约证券交易所上市代号:IRF)是领导业界功率半导体及功率管理方案的供应商。其 HEXFET 功率 MOSFET、IGBT、二极管及高电压集成电路均已获得专利权，有助改善电子及电器设备的性能及电源效率，应用领域包括工业自动化及控制、汽车电力系统、消费电子产品、电脑及外围设备、电信、照明及卫星和宇航应用。IR 成立于 1947年，总部位于美国洛杉矶，在亚洲多个地区均设有办事处，包括中国大陆、香港、台湾、新加坡、韩国、印度、澳大利亚及菲律宾。IR 全球雇员 5100人，在英国、美国、墨西哥及意大利均设有制造厂。欲查询国际整流器公司的进一步资料，请浏览该公司中文网页 www.irf.com.cn。