规格
| 产品编号 |
封装 |
电压 |
输出源沉降电流 |
VCC 范围 |
VTRIP |
Dead Time |
| IRS2136D |
28-lead PDIP |
600V |
+120/-250mA |
带 UVLO的10-20V |
.46V |
190ns min. |
对于较高额定电流的600V应用 @ 200mA/420mA, 请从以下产品线中选择
| 产品编号 |
电路 |
VCC 范围 |
输出电压（最小值/最大值） |
T开/T关 |
死区时间(一般情况) |
| IR21141SS |
半桥驱动器 |
带 UVLO的12-25V |
10.4V/20V |
440纳秒/440纳秒 |
.33µs |
| IR2114SS |
半桥驱动器 |
带 UVLO的12-25V |
10.4V/20V |
440纳秒/440纳秒 |
.33µs |
| IR2130 |
三相桥驱动器 |
带 UVLO的10-25V |
10V/20V |
675ns/425ns |
2.5µ |
| IR2131 |
3高/3低 MOS 驱动器 |
1300ns/600ns |
0.7µ |
| IR2132 |
三相桥驱动器 |
675ns/425ns |
0.9µ |
| IR2133 |
三相桥驱动器 |
750ns/500ns |
0.25µ |
| IR2135 |
三相桥驱动器 |
750ns/500ns |
0.25µ |
| IR21381Q |
三相IGBT驱动器 |
带 UVLO的10-25V |
12.5V/20V |
550ns/550ns |
1.0µ |
对于较高额定电流的1,200V应用 @ 200mA/420mA, 请从以下产品线中选择
| 产品编号 |
电路 |
VCC 范围 |
输出电压（最小值/最大值） |
T开/T关 |
死区时间(一般情况) |
| IR22141SS |
半桥驱动器 |
带 UVLO的12-25V |
10.4V/20V |
440纳秒/440纳秒 |
.33µs |
| IR2214SS |
半桥驱动器 |
带 UVLO的12-25V |
10.4V/20V |
440纳秒/440纳秒 |
.33µs |
| IR22381Q |
三相IGBT驱动器 |
带 UVLO的10-25V |
12.5V/20V |
550ns/550ns |
1.0µ |
|
