IR栅极驱动器IC简化了设计
 在半桥拓扑的高端位置或三相逆变器的桥臂内驱动MOSFET或IGBT向我们提出了又一挑战，即栅电压以源为基准，而非以地为基准。源电压在最高总线电压或MOSFET或IGBT的额定电压下是一个浮点，对于电机驱动、照明或SMPS应用为600V或更高。IR栅极驱动器采用面向高压应用的移位器专利技术，提供了业内仅有的、高达1200V的额定电压。
这些IC通过整合大量功能而简化了电路设计。它们采用低成本自举电源，而基于光电耦合器的电路通常需要辅助电源。IR栅极驱动器IC为低端和高端驱动器以及三相驱动器提供了可选单输入或双输入可编程死区时间控制，实现了设计灵活性，同时将直通降至最低水平。独特的三相驱动器让我们能够利用单个IC驱动三相逆变器。
IR栅极驱动器IC实现了稳定的驱动器设计
IR栅极驱动器IC专门面向电机驱动应用。最新的软导通功能可以限制电压和电流尖峰，同时还能降低EMI。除此之外，它们还具有高达50V/ns dV/dt的抗扰度，经受得住负电压瞬变的冲击。大多数驱动器都具有欠压锁闭功能，可以在上电和掉电时防止击穿电流和器件故障，而无需其它电路。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可以将驱动器的直通降至最低水平。
抗噪声性对于具有浮动电压、易受高噪声电平影响的高端位置很重要，特别是在电机驱动应用中。抗噪声性可以保证MOSFET或IGBT不会意外打开。利用带下拉的施密特触发输出实现抗噪声性。在某些IC（例如采用14引脚封装的600V IC）中，可以利用独立逻辑或地引脚来实现更高的抗噪声性。
IR栅极驱动器IC实现了高开关速度
IR栅极驱动IC的延迟匹配性能比基于光电耦合器的解决方案高10倍。低端和高端驱动器之间的延迟匹配通常在±50ns（某些专业产品低至±10ns）以内，实现了全面的空载时间控制，从而改善了电机驱动应用的速度范围和转矩控制。高开关速率还降低了开关功率损耗，让我们能够利用当今市场上最快速的IGBT的所有优势，从而在更宽的速度范围内改善转矩控制。
Application Notes:
AN-978: HV Floating MOS-Gate Driver ICs
AN-985: Six Output 600V MGDs Simplify 3-Phase Motor Drives
Design Notes:
DN500: Short Circuit Protection for Power Inverters
DN501: Accurate Current Sensing in High Voltage Motor Drives
DN502: Short Circuit Protection for Three-Phase Power Inverters
Design Tips:
DT92-2: High Current Buffer for Control ICs
DT04-4: Using Monolithic High Voltage Gate Drivers
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