| 军事和空间应用为今天的系统设计者提出了一项独特的挑战。 空间硬件必须在极端环境条件下运行，包括暴露于严酷的离子放射中，这使得耐辐射组件的使用成为必要。 国际整流器公司，以其特有的耐辐射MOSFET工艺，应对这一挑战已经超过20年。 从1985年第一个耐辐射MOSFET的推出，到最新一代的器件，IR不断地超越着工程师们的期望。
Gen IV
- 60V-600V
- N/P-沟道
- 100K-1000K 辐射
|
R5
- 30V-250V
- N/P-沟道
- 100K-1000K 辐射
|
R6
- 100V-1,000V
- N-沟道
- 100K-300K 辐射
|
R7 逻辑层
- 60V-250V
- N/P-沟道
- 100K-300K 辐射
|
更高效功率电子的趋势，包括直流-直流转换器和电机控制器，对于军事和空间硬件也同样适用。 IR的最新一代耐辐射MOSFET可以应对这种挑战，因为它提供了极佳的单事件影响（SEE）和总离子量（TID）性能。 IR的R7 系列 是第一个带有逻辑层阈电压的耐辐射MOSFET. 耐辐射MOSFET的R6 系列可在实现10倍SEE改进的情况下，对Rds(on)也加以改进。
|
|
|
|
|
|
可靠性屏蔽 |
| 国际整流器公司的宇航和国防分部具有MIL-PRF-19500资质，在耐辐射功率MOSFET的设计和开发中可实行超强的能力。 提供以下的屏蔽级别，以满足我们不同的客户需求。
 COTS: 商业现货 -> 无老化
QPL: 合格产品列表 -> 符合军事标准规程和规范
- 屏蔽级别: JANTX、 JANTXV和JANS
QIRL: 内部 QPL
- 屏蔽级别: TX、TXV和S,按 MIL-PRF-19500 标准
QPL RAD-Hard™MOSFET 组合
质量合规性和审核 |
|
放射性试验 |
| 功率MOSFET器件上的辐射影响众所周知，包括输入阈电压（VGS(th)）变化，漏源击穿电压的降低，泄漏电流的增加（IDSS, IGSS），瞬时烧穿以及跨导的降级。
国际整流器公司的辐射增强型MOSFET会进行试验，以验证其放射强度的能力。 国际整流器公司的强度保证程序由两种放射环境组成。
所有的 RAD-Hard™MOSFET 晶片都要按照MIL-PRF-19500的总量，D级按MIL-STD-750的方法1019进行试验，
RAD-Hard™MOSFET 产品因其功能群组（60V, 100V等）而特为SEE设计。
放射性报告 |
|
产品型号 |
RAD-Hard™MOSFETs
分立式QPL产品
 |
|
国际整流器公司的 R6™技术为空间应用提供了超级的功率MOSFET。 这些器件对抗单事件影响（SEE）的能力。 它们结合了非常低的RDS(on)和更快的转换时间，在目前的高速切换应用中减小了功率散失，如直流-直流转换器和电机控制器。
特性
国际整流器 R7™逻辑级MOSFET，为空间和其他辐射环境中的功率元件接口CMOS和TTL控制电路提供了简单的解决方案。 在最高温度和过度辐射条件下，阈电压仍保留在可接受运行极限内。 这是在保持单粒子栅穿（SEGR）和单粒子烧毁（SEB）耐力的情况下实现的。 这些器件应用有同步降压转换器、LDO中的线性旁路元件，以及2N2222 和 2N2907晶体管中的替换件。
