日期： |
2006年11月2日 |
地点： |
深圳香格里拉大酒店 (中国深圳市建设路1002号火车站东侧) |
IR演讲时间： |
15:00-15:30 |
演讲题目： |
用於高功率密度的最新 DirectFET封裝技術
(New DirectFET packaging for high power density design) |
演讲者： |
Carl Blake (IR全球分立器件技术市场总监) |
IR演讲摘要：
现今系统工程师面临电脑计算与通讯速度更快的需求远大于过去。在过去十年内, 数字电路板面积缩减80%, 模拟功率电路的使用面积不断增加以达到比以往更高的功率密度。为调和此两项冲突的趋势, 系统工程师必须妥善利用现有最新的封装技术。别于1990年代二度空间的电路设计, 高功率密度迫使系统工程师必须优化三度空间的电路设计。一个最新且拥有双面冷却的封装产品是国际整流器公司的DirectFET。相较于SO-8和增强型SO-8产品, DirecFET的热阻相对低了35%和20%。一个采用DirecFET产品的服务器电路板证实了系统效率与散热功效。在同样的输出功率, DirectFET温度比增强型SO-8低10度且效率增加0.4~1%。这项创新的DirectFET封装技术, 给客户在高功率密度和较小的电路板面积使用上可以做更有效的设计。除此之外, 电路板面积的缩减与功率密度的增加不仅节省成本也大幅提高系统的可靠性。
大会简介：
主办单位：EDN China电子设计技术
| 媒体支持： |
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指导单位：中国半导体协会
对于中国电子业来说，“创新”将成为未来最流行的主题词。中国电子设计界渴望获得多方面的资讯，扩展视野，以利于确定自身在未来以“创新”为导向的竞争中的立足点。“EDN China创新大会” 力求为中国电子设计界提供一个获取信息、分享信息的平台，并成为指引中国电子业发展的重要坐标。
报名详情，请浏览网址: http://www.ednchina.com/campaign/innovation_award/2006/conference/index.aspx |
