IP的PWM控制器集成电路使高密度、低电流负载点调节器成为可能
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)今天推出两款电压式双输出600kHz单相位同步降压PWM控制器集成电路――IR364，适合网络、计算机及通信系统中的高密度的10A非隔离负载点(POL)调节器。 这种600kHz的切换频率可以实现面积更小的电感和更少的输出电容，节省了主板面积。 例如，若新型IR3624与一对IR的小型盒式DirectFET® HEXFET® MOSFET配合使用，如IRF6623 和 IRF66636，便可成为一个完整的10A调节器，装入200平方毫米的主板空间。
IR的DC-DC计算产品营销经理Faisal Ahmad说，"IR3624和两个小盒DirectFET MOSFET的组合，把解决方案的面积减少了45%，使设计者可获得两倍于之前解决方案的功率密度。"
出于系统的稳健性的考虑，IR3624有着集成热关机和可编程的过电流限制保护。 IR3624包括一个0.6V电压参考，可允许一个单POL调节器支持多种应用，从极低压DSP至保留5V逻辑。
对于低于5A的应用，甚至更高的密度亦可通过使用一个SO-8双N沟道HEXFET® MOSFET实现，如使用IRF8910代替两个分立的MOSFET，并进一步缩小主板面积至150平方毫米以内。
为了跟上最新的ASICs 和 FPGA在启动时需求，IR3624可在不进行输出的情况下使用预偏置输出电压进行启动。 此功能简化了调节器中核心和输出输出电压的调节器设计。 低压停机和可编程软件启动功能进一步帮助限制启动电流，并保证适当功率可满足调节器。
| 产品编号 |
封装 |
最大VIN（V） |
最小VIN.
(V) |
最大VOUT.
(V) |
最小VOUT
(V) |
IMAX
(A) |
| IR3624MPbF |
10L MLPD |
14 |
4.5V |
CC * 0.71 |
0.6 |
10 |
| 推荐与IR3624配合的International Rectifier HEXFET® MOSFET |
| 产品编号 |
封装 |
最大BVDSS
（V） |
同步整流应用 |
10.0V 下最大RDS(ON)
(mOhm) |
4.5V下最大RDS(ON)
(mOhm) |
最大VGS
(V) |
典型QG
(nC) |
典型QGD
(nC) |
典型QSW
(nC) |
| IRF6623 |
DirectFET® (ST) |
20 |
控制 |
5.7 |
9.7 |
±20 |
11 |
4 |
5.2 |
| IRF6636 |
DirectFET® (ST) |
20 |
同步 |
4.5 |
6.4 |
±20 |
18 |
6.1 |
8 |
| IRF8910 |
双 SO-8 |
20 |
控制和同步 |
13.4 |
18.3 |
±20 |
10 |
7.4 |
2.5 |
供货与定价
IR3624MPbF和IR3624MTRPbF的单价均为0。85美元，1万只一批，可以管式或卷带式供货。 价格仅供参考。 该组件为无铅产品，且符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS)。
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