International Rectifier新型三相PWM控制器配合一对DirectFET MOSFET
成功缩减40%电路体积

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)今天推出一款三相PWM控制集成电路，当中配备为DC-DCDC-DC转换器而设的集成驱动器。 配合IR的DirectFET MOSFET，这款IR3094MPbF组件能够节省多达40%的电路体积。 由于IR3094 的占位面积更小，因此最适合空间有限的应用，如机架式服务器中的DDR内存，或高密度数据系统中的POL模块。

典型的80A三相同步降压解决方案一般需要多达13个组件，包括1个控制和3个驱动器，而每相位又需要3个MOSFET。 一个以IR3094加上IRF6637和 IRF6678 DirectFET MOSFET组成的芯片组，能够把硅组件数量减到7个，输出电流却可保持不变。 设计人员更可将3对这样的DirectFET MOSFET直接设置于IR3094的旁边，成为一套既可减少PCB线路的寄生效应、又能发挥最高交换效能的解决方案。

IR DC-DC计算产品营销经理Faisal Ahmad表示："80A POL调节器若采用IR3094，占用的主板空间少于两平方吋。这对于不断努力提高下一代服务器的密度和功能的OEM厂商来说相当重要。"

IR3094是针对需要0.85V至5.1V输出的应用而设计。 这款新型IC采用紧密的7毫米 x 7毫米MLPQ封装，具有3A闸驱动性能、准确度为1% 的参考电压及适应型电压定位，可编程交换频率高达540kHz。 IR3094的系统保护功能包括可编程软起动、Hiccup过电流保护、过压保护及电源良好 (Power Good) 指示器。

IRF6678是一款理想的同步MOSFET，它的典型通态电阻相当低，在10VGS下只得1.7mOhm，在4.5VGS下只得2.3mOhm。 IRF6637最适合用作控制MOSFET，Miller电荷甚低，只有4nC；在10VGS下的典型通态电阻为5.7mOhm，在4.5VGS下为8.2mOhm。 两款MOSFET皆采用中罐型DirectFET封装，所占的电路板面积与SO-8相同，外形只得0.7毫米长，并且透过双面冷却功能改善热性能。

Faisal Ahmad还说："IR3094内的集成高电流闸驱动器结合一对经过最佳化的DirectFET组件，成为一套具有无与伦比的集成度和密度、并且为高电流POL转换器而设的功率管理解决方案。"

供货与定价

新的IR3094MPbF PWM 控制集成电路和相配的DirectFET MOSFET可即时获得。 IR3094单价为2.34美元，IRF6678为1.25美元，IRF6637为0.91美元。 所有定价为1万只一批，可调。 IR3094 和DirectFET MOSFET与RoHS相兼容。