FlipFET™功率MOSFET

IR的新型FlipFET™封装内含了真正的芯片级封装技术，实现了新一代有着更高功率密度的超紧凑架构。 这装新式封装在世界上首次实现了功率MOSFET的100%硅/面积比，提供了可能实现的最小表面积、最低高度和最轻重量的解决方案。 在这种新型专有封装中，所有管脚均位于芯片的同一侧，因为芯片就是封装。 因此，漏电感以及其它与器件封装有关的损耗被降至最小或被消除。 使用这种新型 FlipFET封装，面积可达到仅为标准的基于功率硅片引线架的三分之一。

IR的优势所在 在相同的性能下，面积仅为标准SOIC封装的三分之一 由于采用IR的HEXFET沟道MOSFET技术，RDS(on)值极低 ＜0.8毫米的低间距 基本消除封装寄生元件 与标准SMT技术相兼容 经全面电测试，以带盘式供货

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应用笔记
AN-1011: FlipFET™ 元件的组装

技术论文
用于移动电话电池保护电路的双向lipFET™ MOSFET

为高流量SMT组装而设计的FlipFET™ MOSFET

芯片规模封装工艺增加手机通话时间

新一代晶圆级封装HEXFET®元件

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