优化的单相同步降压参考设计.针对6Amps，12Amps，以及18Amps设计，带在线硬件定制&模拟能力。 IR的基于IR集成电路和MOSFET的新型POWIR+芯片组，通过提供高可靠性的功率管理参考设计和增强的在线设计服务等支持，可缩短上市时间，并降低额外的不必要的重复设计而风险。第一批的三个POWIR+芯片组是基于IR3637S和IR3637AS控制器，用于计算机中的单相同步降压转换器应用和高端客户应用。
使用IR3637S & IR3637AS 的POWIR+ 芯片组第一系列的POWIR+ 芯片组包括针对三种特定的电源水平(6Amp, 12Amp, 18 Amp)进行优化的标准参考设计，代表了用于真实应用环境的实用性设计。
IRPP3637-06A是针对低功率6A输出设计:
- 设计尺寸1.0in2针对7.5WOUT (1.25VOUT @ 6A)
- 150LFM @ 25°C & 全负荷, 最高结温为87°C
- 在5VIN / 1.25VOUT / 600kHz上运行, 全负荷效率为80% 最高效率为85%
- 使用一个双路SO-8 MOSFET，以减小尺寸和降低元件数量
- 使用在600kHz运行的IR3637AS 集成电路，将尺寸和外部元件数量减小至最低。
- 实现的尺寸为：1.3" x 0.8" 7.3W/in2和 5.8A/in2
IRPP3637-12A是针对中等功率12A输出设计:
- 设计尺寸1.5in2针对 21.6WOUT (1.8VOUT @ 12A)
- 150LFM @ 25°C & 全负荷, 最高结温为74.6°C.
- 在12VIN / 1.8VOUT / 400kHz上运行, 全负荷效率为84.2%,最高效率为 85.1%.
- 使用独立的SO-8MOSFET，从而允许因改进后的热效率和电效率而产生的更高的电流。同时该参考设计也允许使用小型罐装DirectFET®MOSFET。
- 用在400kHz上运行的 IR3637S集成电路提高效率，效率最高可达85％。
- 实现的尺寸为：1.3” x 1.5” 14.5W/in2和 8A/in2
IRPP3637-18A是针对中高功率18A输出设计：targeted at medium-to-high power 18A outputs:
- 设计尺寸2.0in2针对59.4WOUT (3.3VOUT @ 18A)
- 150LFM @ 25°C & 全负荷, 最高结温为91°C
- 在12VIN / 3.3VOUT / 400kHz上运行, 全负荷效率为87%, 最高效率为88.8%.
- 采用独立D-Pak MOSFET，以获得在高输出功率下的优异的热性能，实现的效率高于88%.
- 实现的尺寸为1.4” x 1.5” size 29.6W/in2和 9A/in2
所有参考设计的定制能力
- 组装好并经测试的定制电路板将在一到两周内送达
- 所有电路板都可以定制为在下列范围内运行：
– 3.0VIN到13.2VIN输入电压
– 0.8VOUT到5VOUT输出电压
– 400kHz 或 600kHz开关频率
- 优化设计的完整图表
- 标准和定制设计的完全模拟能力：
–小型和大型信号分析
–开关波形
–效率和功率损失分析（针对所有元件）
–启动，排序，和保护功能（Ilim等）
|
