产品选择指南
热计算
国际整流器公司的DirectFET功率封装是突破的表面贴MOSFET封装技术，在SO-8封装尺寸进行顶部冷却很有效。与标准或者增强的SO-8封装器件相比，结合改善的底部冷却，这个新封装可以在两侧进行冷却，从而来减少高达60%的元件数目，并节省50%的电路板空间。这在较低的总系统成本下有效地加倍了电流密度（A/in2）。DirectFET MOSFET产品族与20V和30V的同步降压转换器芯片组相匹配，而对于30V还能够用于高频率工作，同时，DirectFET MOSFET产品族有三种不同的罐型尺寸，能够为您的设计需要给出最大的灵活性。
用于DC-DC转换器应用的高效率150V DirectFET MOSFET
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特性概述
兼容RoHs，不包含铅和溴化物
并不是所有的DirectFET MOSFET器件能够使用无铅焊膏；请参见PbF限定页面来决定产品型号状况。
1.4°C/W 结到外壳热阻抗(Rth(J-C))能够获得更有效的顶部冷却
在与SO-8封装相同尺寸下，Rth(junction-pcb)少于 1°C/W
与SO-8相比，无芯片封装阻抗减少了90%以上
侧面为0.7mm，而SO-8为1.75mm
直接芯片粘贴，而没有线压焊或者引线框
高频率下封装自电感值更小
与大容量的生产设备和工艺相兼容
IR优点
电流密度提高了两个数量级
MOSFET元件数目减少了60%
减少了50%空间PCB
低达50°C的工作温度，从而提高了可靠性
更低的总系统成本
应用
用于服务器的VRM模块（同步降压）
工作站和大型机（同步整流，ORing技术）
高性能笔记本电脑（同步降压）
先进的电信与数据通信系统（总线转换器）
无线控制玩具（电动机控制）
基于电池工作的工具（电动机控制）
D类音频放大器
技术文章
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