相对于同类沟渠技术，国际整流器公司汽车沟渠 HEXFET® 功率MOSFET有着更强的效率、切换性能和耐用性。 IR沟渠工艺经过独特优化，以便将沟渠技术的益处拓展至严酷的汽车环境，而无需牺牲雪崩耐用性，这是汽车系统设计者开始在IR的平面MOSFET所期望的东西。

因为始终考虑到汽车应用，IR的沟渠技术为低通电电阻做了优化，与最好的同类器件相比，在每单位面积上RDS（on）要低15%，与最好的平面技术相比要低45%。

IR汽车沟渠MOSFET也提供最高达两次的雪崩能力，这是对于典型的可用沟渠产品，可与业内领先的平面技术相媲美。 此外，IR也是能够将全部重复雪崩能量（EAR）达到Tjmax的少数几家制造商之一。 这种雪崩能力典型应用是让较低电压器件使用在同等应用中（如用40V代替55V）。 较低电压器件会有更低的通电电阻和传导损失，因此可使用更小的芯片，从而大幅降低成本。

此外，IR沟渠MOSFET还可在40V器件上将导通电阻温度系数降低10%。 导通电阻温度系数的优势对于最佳的标准运行器件尺寸尤其重要，并且可以在瞬时现象中避免热量散失，在这种汽车应用中标准运行温度常常超过125°C，但峰值温度可能达到175°C。

IR的沟渠MOSFET还使栅极电荷相对于可比同类沟渠器件降低4%，并在导通栅极电荷(RDS(ON) x QG) 数值上比平面产品增强了40%。 单位面积上的低栅极电荷，降低了高频（100kHz范围）运行中的切换损失。

其他特性包括，与最好的同类器件相比要低7%的热阻，这更使器件的接点温度得以降低。

IR的汽车沟渠MOSFET技术将被快速拓展至汽车应用中的其他电压，具体应用有40V、55V、75V和100V产品。