栅极驱动集成电路通过DSP的逻辑输入、微控制器或其他逻辑器件产生可启动和关闭MOSFET或IGBT的必要电流。 典型输入为3.3--5.0V逻辑级信号。 所有的IR栅极驱动集成电路与CMOS相兼容、大多数与TTL兼容。 输出电流能力最高达2A。

在半桥或三相反激支撑中驱动一个高压端MOSFET或IGBT，提供了栅电压被引入源而不是基础的挑战。 源电压为一个浮点，处于最高可至最大总线电压，且可能带有高dV/dt。 IR使用专有的级别转换器技术来隔离和缓冲高压端栅极驱动和拒绝dV/dt。

这些集成电路结合了广泛的系统功能，从而简化了栅极驱动电路设计。 IR栅极驱动技术提供了低静态损失，使其适于使用在汽车应用，并可以非常低的成本实现高压端电源供应的“自行引导”。 IR栅极驱动集成电路包括半桥、高压端/低压端和三相驱动器，有许多固定、可编程和无死区时间的选项。

IR 栅极驱动器集成电路可实现耐用的驱动器设计
IR 栅极驱动器集成电路专为电机驱动应用而设计。 低压锁闭可用于大多数驱动器,在加电和去电时，无需额外的电路即可防止击穿电流和设备故障。 输出驱动器具有为最小驱动器跨导所设计的高脉冲电流缓冲阶段。

免噪音功能对于汽车应用来说尤其重要。 IR栅极驱动器抵制能力最高达50V/ns dV/dt，使它们对于所传导和散失的噪音有着特别的防噪音功能。 额外的免噪音功能和控制功率基础电压差额的承受能力，是通过一些带有分离式功率和逻辑基础管脚的器件实现的。

IR栅极驱动集成电路可实现快速切换速度
IR栅极驱动集成电路有着比栅极驱动光耦极为基础的解决方案好5倍的延时性能。 在低压端和高压端驱动器之间位于典型的±70ns（以及一些低至±10ns的专业产品）,可将死区时间最小化，以在电机驱动应用中实现更好的速度范围和力矩控制。 精确延时调整和死区时间也可实现更高的切换频率以及降低的"循环”。

应用笔记 AN-978: HV浮动MOS栅极驱动器集成电路

IR2301/02 运行于5V 供应电压以提供冷引擎启动.

	单高压端栅极驱动器
	半桥栅极驱动器
	高压端和低压端栅极驱动器
	三相反相栅极驱动器

特性一览

	用于MOSFET和IGBT的单个集成电路600V栅极驱动器
	可选的5V-20V或10V-20V额定供应电压，以便在冷引擎启动中实现安全运行。
	三种配置： 单个高压端 半桥 三相反激驱动器
	高达+2.0/-2.0A 输出源/链接电流使得可驱动大栅电荷器件
	集成保护和回馈功能
	可选强编程或固定死区时间控制
	可承受负极电压过渡
	高至50V/ns dV/dt的抗力
	支持引导运行或浮动电源
	CMOS 或LSTTL输入兼容性

IR的优势所在

	死区时间低至500纳秒
	可用的最低成本和最小部件数量栅极驱动应用
	可进行耐用栅极驱动设计
	相对于光耦合解决方案： 30%更少的部件和50%更小的PCB 快五倍的延迟时间（± 70ns） 超时无降级性能 更短的过电流信号（1.5µ 对5µ）
	温度范围(-40/+125°)