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用于42V System的业内最佳75V MOSFET

国际整流器公司的新型 75V HEXFET®功率 MOSFET,其导通电阻(R_DS(on)) 最高可比前一代的产品设备低10%, 且其某些性能为市场最佳。这些器件的定额直接转换为更低的功率损失、增强的效率和更低的热量散失。小卡封装可以更有效地去除器件中产生的热量，使设备温度持续下降，减小热沉降需求并增强可靠性。

这种新型器件具有完全的重复雪崩特点，由此器件可承受雪崩能量（EAR）是完全由运行温度、雪崩电流和工作循环条件所决定的。这使得工程师们可以有更强的系统可靠性信心，以进行雪崩状况下的设计。

IR的优势所在

	市场上最佳的效率
	耐用器件
	更低的接头温度
	更小的热沉降
应用
	集成的启动器交流发电机（ISA）
	电动方向盘（EPS）
	其他42V应用

特性一览

	用于42V 系统应用的的75V 额定电压
	7mOhms R_DS(on)
	0.45°/W 热阻，于TO-220
	重复雪崩定额最高至175°
	Q101 合格

规格

产品型号	电压	封装	R_DS(on) max.	RthJC max.	T_J
IRF3808	75V	TO-220	7mOhms	0.45°/W	-55至175°
IRF3808S	75V	D²Pak	7mOhms	0.45°/W	-55 to 175°
IRF3808L	75V	TO-262	7mOhms	0.45°/W	-55 至175°


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