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栅极驱动集成电路

IR 产品编号 描述
IRS2011(S)PBF 高功率、高速度的功率MOSFET驱动器,带有独立高侧和低侧引用输出通道。
IRS20124SPBF 高电压、高速度的功率MOSFET驱动器,带有内部死区和关闭功能。
IRS2092(S)PBF 高电压、高性能的D类音频功放驱动器,带有内置PWM调制器和多项保护功能。
IRS20954SPBF 高电压、高速度的MOSFET驱动器,带有浮动PWM输入。 对于新设计,使用IRS20955(S)PBF
IRS20955(S)PBF 高电压、高速度的MOSFET驱动器,带有浮动PWM输入。
 
规格 IRS20124(S)PbF IRS20955(S)PbF IRS2092(S)PbF
偏移电压 200V 200V~+/-100V 200V~+/-100V
Sink/Source电流 1.2/1.0A 1.2/1.0A 1.2/1.0A
VCC 范围 (带 UVLO) 10-18V 10-18V 10-18V
最小/最大输出电压 10-18V 10-18V 10-18V
传播延迟: T开/关 60纳秒 90纳秒 360/335纳秒
最大延迟时间 由死区时间定义 由死区时间定义 由死区时间定义
可编程性 IRS20124(S)PbF IRS20955(S)PbF IRS2092(S)PbF
可选择死区时间 15/25/35/45纳秒 15/25/35/45纳秒 25/40/65/105纳秒
带自复位功能的双向过电流感应(无测流电阻) -
特性: IRS20124(S)PbF IRS20955(S)PbF IRS2092(S)PbF
双向过电流感应(无外部测流电阻)
最大频率 1MHz 800kHz 800kHz
逻辑兼容输入 3.3/5.0V 3.3/5.0V 3.3/5.0V
最大过电流传播延迟 300纳秒 500纳秒 500纳秒
浮动PWM输入 -
半桥最大功率 1000W 500W 500W
关闭 内部/外部 内部/外部
保护逻辑控制 -
内置PWM调制器    
启停时“咔嗒”噪声抑制;    
封装规格: IRS20124(S)PbF IRS20955(S)PbF IRS2092(S)PbF
封装类型 14-pin SOIC narrow 16-pin SOIC narrow 16-pin PDIP
16-pin SOIC narrow
SOIC封装的MSL级别 MSL3 MSL3 MSL3
应用规格 工业用 工业用 工业用
 

 
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