International Rectifier - The Power Management Leader

产品系列

销售支持

技术资料

设计支持

技术支持中心

音频输出MOSFET

通过提供新的IRFI4xxxH-117P 系列 MOSFET半桥，IR提高了 D 类音频功放的多项性能。
集成半桥的封装模式把元件数目减半继而改善了PCB的布局。除了较低的导通电阻外，该系列的MOSFET半桥还具有优化过的栅极电荷，寄生二极管反向恢复能力及内部栅极电阻。这些都提高了D 类音频放大器的性能和效果，主要参数如工作效率、总谐波失真及电磁辐射等。
IRFI4xxxH-117P的典型导通电阻RDS(ON) 为48 mOhms，栅极电荷典型值为8.9nC 开关电荷为4.3nC。

特性一览：
低导通R_DS(ON)以实现高功率密度
低栅极电荷以实现较高的速度

规格

产品编号封装 Bvdss Rds(on) typ. @10v Id@Tc = 25°C Qg typ Qsw typ

IRFI4024H-117P TO-220FP 5P 55V 48mOhm 11A 8.9 nC 4.3 nC

IRFI4212H-117P TO-220FP 5P 100V 58mOhm 11A 12 nC 6.9 nC

IRFI4019H-117P TO-220FP 5P 150V 80mOhm 8.7A 13 nC 4.1 nC

IRFI4020H-117P TO-220FP 5P 200V 80mOhm 9.1A 19 nC 6.8 nC

削峰功率封装模式负载

4 Ohms 8 Ohms

50W - 60W

5-pin TO-220

IRFI4024H-117P

IRFI4212H-117P

TO-220

IRFB4212PbF

60W - 100W

5-pin TO-220

IRFI4212H-117P

IRFI4212H-117P

TO-220

IRFB4212PbF

IRFB4212PbF

100W - 200W

5-pin TO-220

IRFI4212H-117P

IRFI4019H-117P

TO-220

IRFB4212PbF

IRFB4019PbF

200W - 300W

5-pin TO-220

RFI4019H-117P

IRFI4020H-117P

TO-220

IRFB4019PbF

IRFB4020PbF

300W - 500W

5-pin TO-220

TO-220

IRFB4227PbF

IRFB4229PbF


交流 -- 直流	桌上电脑/服务器
家用电器	宇航
音响	照明
汽车	电机驱动
芯片产品	网络通信
直流 -- 直流	便携产品


音频放大器 MOSFET DirectFET MOSFETs 栅极驱动集成电路参考设计 G5 HVIC


应用笔记 D类指南参考设计工具包技术援助中心销售代表


	产品系列产品目录参数搜索 HEXFET 功率 MOSFETs 集成电路栅驱动器IC G5 HVICs IGBTs 芯片产品宇航产品	销售支持如何购买搜索替代产品产品变更通知制造厂联系 IR 中国 IR 中国代理商目录元件经销商	技术资料应用笔记技术文章 Fact Sheets	设计支持设计中心 myPower 参考设计模型设计指南封装信息无铅产品质量与可靠性报告	技术支持中心技术支持搜寻FAQ 在线提问

国际网站 : | 英文 | 韩文 | 日文 |

关于 IR 国际 | 与我们联络 | 私隐条款

京ICP备05048912号


	产品系列产品目录参数搜索 HEXFET 功率 MOSFETs 集成电路栅驱动器IC G5 HVICs IGBTs 芯片产品宇航产品	销售支持如何购买搜索替代产品产品变更通知制造厂联系 IR 中国 IR 中国代理商目录元件经销商	技术资料应用笔记技术文章 Fact Sheets	设计支持设计中心 myPower 参考设计模型设计指南封装信息无铅产品质量与可靠性报告	技术支持中心技术支持搜寻FAQ 在线提问