通过所推出的DirectFET® MOSFET IRF6665，IR在不断改进着D类音频放大器的表现性能。 开发的这种DirectFET带有专为音频放大器应用所设计的优化特征。 小盒DirectFET®封装使系统受益，例如面积缩小、PCB布局得到改进、减小的EMI，以及比其他塑料封装元件更强的散热特性。

有着更强电和热特性的IRF6665，可提供100W的输出功率到8 mOhms,且不发生热沉。 D类音频关键参数RG（int）有一个保证的增强死区时间控制最大值。 这对于降低系统总谐波失真THD水平是一个重要因素。

IRF6665使用IR基准的DirectFET封装技术，加以最新的MOSFET工艺，以在中等功率D类音频放大器应用中使其性能达到最大化。 该器件参数经过专门调试，提供增强的音响表现。 这一独创性的解决方案使客户得以提供更高性能的音响系统，有着更好可靠性和更强的放大器输出功率。

D类放大器应用范围广泛，从电池供电的便携式产品到高端专业放大器，从乐器到家用多媒体系统都可适用。

专为功率应用而设计的封装
IRF6665 DirectFET MOSFET有一个独特的简单构造，在无晶片封装电阻和热散失能力上实现了突破，在特定的面积上为提供最优性能而提高了设备效率和电流传输能力。

应用笔记
D类指南
参考设计工具包
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